金融界2023年12月30日訊息，據國家智慧財產權局公告，北京大學申請一項名為「一種超低功耗的靜態隨機存取記憶體單元「，公開號CN117316234A，申請日期為2023年10月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種超低功耗的靜態隨機存取記憶體單元，該單元電路包括雙反相器子電路、第一寫緩沖子電路、第二寫緩沖子電路和讀緩沖子電路，雙反相器子電路作為儲存單元，透過交叉耦合實作對數據的鎖存操作，所述第一寫緩沖子電路和第二寫緩沖子電路均采用一NMOS，第一寫緩沖子電路與第一寫位線和雙反相器子電路連線，由寫字線控制通斷，實作對儲存單元的寫操作；第二寫緩沖子電路與第二寫位線和雙反相器子電路連線，由寫字線控制通斷，實作對儲存單元的寫操作。本發明使用單個NMOS作為寫緩沖子電路，相比於傳統TFET SRAM從根本上避免TFET單精靈通、正向p‑i‑n電流和串聯電流衰減問題，減小了寫延遲，提高了雜訊容限。
本文源自：金融界
作者：情報員
