英飞凌推出免费放送驱动板活动，即日起至7月24日，用户申请驱动板EVAL-1ED3142MU12F-SIC，附送两个SiC MOSFET IMZA120R020M1H
英飞凌驱动芯片：1ED3142MU12F
6.5 A、3 kV（rms）单通道隔离栅极驱动器，带独立输出
什么样的驱动芯片能满足SiC MOSFET的种种挑剔要求？英飞凌EiceDriver X3系列驱动芯片当仁不让。其中紧凑型驱动芯片1ED314X系列，外形小巧，功能全面，是驱动SiC MOSFET的性价比之选，其优势主要体现在以下几个方面：
l 驱动芯片最大输出电压高达35V，满足SiC MOSFET高门极电压的需求。
l 共模抑制比CMTI大于 300V/us，远高于光耦和容隔芯片。
l 45ns的传播延迟，和7ns的传播延时误差，适合SiC MOSFET的高频开关特性。
l 具备开通和关断分开的引脚，可为开通和关断过程设置不同的门极电阻。
l 具有有源关断和短路钳位的功能。
l 采用电隔离无芯变压器栅极驱动器，进一步增强驱动性能和可靠性。
l 通过UL1577认证，可适用于650V,1200V,1700V,2300V IGBT, SiC and Si MOSFET。
驱动评估板：EVAL-1ED3142MU12F-SIC
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