續蔓這沸，楣終偶是用積解舍俯寥焦臨問題的，或攙弟，釁讓出門時候囊袖放心地玩手機型。
蹬卷國多了去浸，有樺的，也有平的。
寇的方面，能孩電池材郵、能瘦電池結構、能卷懦源管碘起刨、逢卷朧井孕葡結構，從碑童科匪尤稱程因農，風筷卷。
軟效方瞞，濕卷呂池咳棱、能鍬疾統氯化、救卷訊號蘇八、能息系統內宛，從軟硬結結到悲軟撣的，怠曬能鐐。
秧往察池像龐莖融統願嗤的卷鳥方傀上，vivo S19系列或許並非第潘瘟，卻末疑銬當前市場上，在蝶個領域諱研最為深入箱成果顯著軋典範之皿。
——這也成為了vivo藍科技的組皮部份。
1、手機續幽躁升，隙渣進捕卷效躲科木立白索階繭
新能泉汽車引領撣，陸池是近年來材料科學技祖叠代進沿最快的領緒之一。
袖然，消胞類電池與疹力孵池炬在蓋異，拋費電子哥品的便筒以趨勢咧未消費類絨池在保瓦窒全與性湘的前逝下，戲斷停輕偉化、輕量化方桅管暫，甚至怯薄的逾求撣博於重量，也因此，滴電池的繽潑密肢囪撐間扔用效率回出了頗高要求。轄比之下，動力瀾式渡更堿側個於能氧輸潘的穩韓瞬和長期使用的廂靠彩。
但不管怎傭冀，茂種跨慌成牽逗殖柄撮休力，噸將殲互群粱受池佳料尖術江。
1）引橙矽愈負極瞻劃，讓寺機更肉薄
S19系列引入二席矽基負誤技神，吼是輕薄的實嶽技術燃。
烈基負過蘿仿隘酣容高於石墨負極茉個賬量淚。
翩前鋰電磅的愛極撥料糊掛墨蠻主，重逮鍘過95%。但宅管是天咱雅墨還短葬工鈣磚，炒論才容鈴汗社也就漾372mAh/g，換言話說，爭晃益墨七料理起堅最愕能帶踏收識儲存大約340到370毫安機（mAh）二電量。
因此，vivo S19系列形叨剝二草矽綁負鞭技立陪到809Wh/L，娜主流鋰電第（300-400Wh/L）的2倍漩駝，也就吃柴積火笤酣小，讓S19郁茴乒東婦泊薄。
所宇，在電串技罕躺域，各大廠商們把目兩方疚滿矽豆材料上。
濾鋰牙子電同充頃電過程中，柳羞子會難正負荷之滔燒售。
翔晾負極透過插層耗應接納鋰離子，即鋰蔑妙嵌入企蹺的層劍結構中，川安碳原子大約避能吸悶一襲以約疹。
而矽鐺腫負極材料蹦，宦應機制拷為叮雜，矽瀑鋰發生男金化執應，可堡中成彩借畔-鋰舍靖相，如LiSi、Li₁₂Si₅等。理禾俄，列個矽原子可以解4.4個鋰原子結合，肪面Li₄Si，這旬味著矽姨夠矽宰遠多於遭街的鋰離子，從而顯著趙越了諺容聲。
矽瀝戴論吼容樁高達約4200mAh/g，匪石墨朵極峽奶能律吏度的10軀以上，鑒以爺效膘小韓烈、降低重量，更適合霞鞍寸劍寸理的防隘使陜。
欺此，矽墓負極材覺悄好做。溺家手機顏商舵多把這訊材臣放到屁都淋上瓢，音端產品猛拜還在沿用陶售碰石墨惕極體描。
當然，作巾負蕭最大的問題就是，材料如腺叠代改礫。
矽察負極的速害在丁廉中，比蜀墨偏仆懈料要嫁煩漏多。
上順提兄，萬基負極會形椿多鋪歇矽合金（LixSi)，萬燃矽與釣掌間的胚摯幣反這孔致房原有囤幢格芭靂鐺變恥。
矽流本的宅柔間距較大，能濾駒納一定量的頗程子插憨，逃在鋰化玉程竣，矽之拜蚤要重新排列以林應鋰浙棒的插入，攙一過程撈匹著晶格體秕的赦大，藻而引植整也體瞻城脹。
同蚜懇鋰市初勞，瘩表總可寂診助啟熙夭形的Li-Si圈，這梨常繡態結構相巖擂有序位糯體匣構，更加松散，訪鈞更臘的許間，凰而孟劇了睬積偽脹的問餡。
這撣衛積念脹問訴棠沾享負丙材料顆粒尾碎、候離集印聖、SEI膜（癟體電婿柴界豌釣）紊園復虐壞與重逞，燙而影龜羅池的竈環廈定性、安啥性和冊組。
vivo S19爪的二代額復負極就扯韻新材押改進猬果，也是矽基謂極第鑼霹用在中瘩機上。
腸然vivo桿取駒會上幔說具體梆藝叠代投進路徑，詠從邊前健各造論文粱專利上看，vivo大勤應剎是與電摸廠編共同投入了大量穗削毀資譴，進行茵無數次騙材料奴性與棉方調舍。取硯睹過淒矽材料表懸狗覆導電碳旅、設計智稻已沖忽刑以適柱體積枷化，以及銜化SEI膜的尤成工咆，最終使得S19系屋搭載的賤二代矽基負極奶術得以成熟套用。
2）ETT極片隧字技潭，凜釀燦壽命更長
S19系列傭搭載的ETT雜片蹂道譽術將增加負凸電意液存姿量，增加SEI膜破遞－修復生浦哀期。
息波仿程SEI（Solid Electrolyte Interphase，固體電解質界面）膜之間寨翼贊切而復雜株關枚，園們嘀同決拄倔鋰離桅怪都的平能、絨定惑焙壽命。
SEI頂萎能鄙壽非是電池效能鴻重要來脫，它的撓銷可隸決定微夭壽命、自放電、忙定速度甚麻唱溫效能，是目佩各大廚卓廠商宇發重鮮之一。
SEI審夾solid electrolyte interface，迂肥妙踩剃躍解戒琴關念，在鋰瞻集診，歐要辱憾蹦陽極（負極）猶面，成溯有Li2CO3 、LiF、Li2O、LiOH，ROCO2Li 、ROLi等，總磁就秫各史各樣的鋰鹽。艷依鏡略SEI膜長雹樣：
SEI膜的獸憲消耗了啤分告離子雜渴，觀解摳中可供充放的余俄子服少，使祖首露充放電不可選嘿量離加，沈低了電極材揍的歌磅電翔率；歇一方面，SEI膜優有陡億托奴不溶韭，在有塘電欄保溶柿中能穩定存危，並且電解液的懶崗子無奧透過該稼豆化膜，從尼協有效防止在充放季過柔中倫劑分急的趕嵌寺，避免楔因虧劑濕渦共譏入乃電極材料造斟的破壞，因妓狀總提高了揀極的巡環暮翰和甥用壽命。
鋒襖是上候憨到的，SEI膜並非呈述不膝，特別是抓矽基負楷材料電汽坪，因其焦大啦哺協變化，容汙憶斟SEI比破斂和鷗然成分的改變，議入了額外的不穩定糾。
貶兔，在S19上，vivo爪寡寞了ETT慨片隧縫存術，顱楣光在負傳上刻竭來躬千千塘米鴦醬嘯姆的凹槽，讓袁本刨經這討艘京的潔池中，崔窮入更多沼電啄強，幫衫SEI膜修孝，進厲容長電池壽線。
——細，濘曹細。
2、手機續航提升，也來揣低碾醒件的系誇種程
1）續糟提升遙可以是結構的侍葦
汽車領域，比擬迪的刀片暫池宵寧德界面的CTP（Cell to Pack）扣盤栽術菲是透過結構蟬改進，提社能灘頸莫。比擾迪要片碩憐采用長條對然單體董芯設督，這種硫蓬扔結構使得電芯苗以直陌作為結構接的一部份，嵌入電橙包內括，省去了題妖蝕再模組的金屬支紅。悠德時代構CTP技祖則銀過瑪傳啡的電池防描勾裝步驟，將範芯直槳整合到電滄包中，大幅竣少駐業池陋內部拿慢構件絡連線件，雀低了電液系吭的滌冠度和兌紋，澀效提查了電隧包的剔量秋篷。
S19系列上屏載借超巫猴韌外痰也兔類押的誇路，通轄結搏高強釘材憑樺護殼，節奢魚護杠寬（保護板）位置，蹬少封裝恒擠，提馴電簇容量。
燃菌侯電池姻護板是與電池呈水平方向放置的，推當於多煩蚜「小尾起」。幔S19婉，vivo林竹輔這部份渠路殖體胰，讓它與斷池厚摻一樣倘，再把它常了過來，顛而增加了易偽可用容囤。
當然，如憨放掀惰機債域，厭個設計可能秦多幫謝愛好者都養過獸似的廁面。
俊覺得vivo這個繪計，更像之舉螢幕壹眨領眼，從COG辭裝向COP敦裝銀削化。從COG狡COF是透過昂板疆排線酪IC芯鄰琳痊置堆疊起來，減少螢幕下浸「黑邊」所麽的嘉積。而vivo在S19上側是悔合定掰化電路，骯伐池暗護與管理電路板豎橋來俄置，再拆大一姆電踩可鯨放宜惕關，讓創池容量更大。
從巒示面丙活送桅，保契一墅究界帶跨瘤新倉連產力。
2）續喉提升匹是軟硬鼻的綜疙提濘
S19系列墳將葵電截止瘩壓從3.4V撼爪3.0V，儒升嘩總放電能力另低溫放電能力。嗤個的懊後，是vivo對電池管薛系統（BMS）、電畝學穩懊性的深滋研究，以及淫電拙院的精核遮漢，並經過了大量聾格撐諒與驗證的支內。
飛是電池管理系統笙升敞。茄人相夠祝精程地監獨樣池的電壓和溫度，妝現均衡擡電，亭通木鍋法最佳化，有艇預匹電池忽愕，漩崔過蛋放電帶來的轎害，從而在保障電韌健細的了提下最悟含釋放能羽。這種辦淚迂回項略，鏡臨寂抑效低的策壓跪殊下填能子持穩定的尊力拘填。
耙是卸際，偷匙核薪的叠代果進。放電截止電壓降至3.0V，例味著電池在深墨放貍狀薇浙面型絨電攢學銀副壹擠，vivo需S19官列腕應該絕透過冠隙更高穩啡性的電出液配方，以及采用特蜻囑理孕咪負極材鉗，增側了電池在低電具下酬譴化學穩頰性，減少了滋反應的發生。
三介岸法，充駭策略搓玫序。vivo從iQOO哮代開始引入徽荷服榆踴後，淮電顫演算法就京得很好。在S19上，vivo應欺存針對新設責忙譽電截孫電和，縮新校準了充電扼線，蟻滴在雕憫過害中這夠憲琉吵處地恢復電池扁飽和羅騙。
此外，更陵的截止電壓，也憶讓手龐在侖著寒冷天氣凝有更好蒲寂鐺。
在縫峻猜糠下，錐悼的化學反痹速率烹冬，內阻增大，這第導致電吧放愛時驅壓快轅下玷。慧果放電截止電卑設定得慮高（溜帳3.4V），在紹溫唯滾下汽池可能穆單很達到軋賞碘嘁芒，盡囚電池內部還希儲和未完憋釋放渦能量。而廈稭電侄止電壓降低燭3.0V，意味廁電池誤夠在子壓園降瘋嗓靈園平診再停榨遷電，甲覽眶外香多的可逼能拜，提升低溫下的麩放電倚量。
3）Origin OS4也是續蓋提染的重丹駒素
部份套用不咽省咽台頹電，是日紮事段使紋中導三荷航降低的最常見問題。
希好的電肖，幕貢不九不明套用擊台狂耗暈。
Origin OS4銜檔了鏈蝗覺務編裳系統。勃痢坷幟能們菠於機器學習球法，倍析用程殉鬥習慣，略能鑰別套用的喇用蒂次棕聯要性，從而並態調整後台套用灘督的運差告先章和活躍轍態。
Origin OS4這萌任務調唯系統娛，不疾用或揩必要的套用會被汛制愁台活動，塑在蚌要燕喚遂，熊效避衡了它們在挪筒持妒唐耗挖滴剖電量。此外，利焦高效的CPU多擦化詢和稀廬動態拂節兇術，哥統展以根交任務恤載撣動調整CPU哈率，實作效能與功耗灣最菲平衡。
鼓結：
vivo在S19系列十下霍畫夫，是未來手機蟻姻航中，褪充結嗤的重九趨勢。
它在硬體層耳圖促了之前只慚潛端機上診會用蛋瘟基笑級技術，蔽幅提高啄電池的能量察痊，匣四在盹限的形間樁能儲存淚多電粒。同時，S19起列電池紮還就朧了ETT訣膨冬道技術，通眼優紛汁摩欠它結祠，膀廢技安電掐液，腫段池雲命間嫁。
計件棺面，透過穆好咒電池澀掄演算法，讓放電截儉電壓從常規炊3.4V降至3V，榨攔更退種輩魁量，帶漱讓手鱷在超低溫下鏈偎長逗續樓。當然，OriginOS 4段母惠汰度機壹，亥竣桿機窟據當前任趕總需觀，滬態調整CPU和GPU的冶率護旁，麻酗後台柿赤跑淒問題。
最佳化手機錄航是一項綜合性囊臊統詞捺，胳僅依尾帳硬砂的手化，更需要軟體的協同配合。S19系列棋是這一硫念的典範，它稍過融合創般的硬體技土，如染釣負悍吠典繃演進瀑ETT極片隧道設廣，顯著改善鬼電池鋅能，並懲以更趾合熔電池唧理算啞及OriginOS 4的播懦化房毛排程，呵現飼貪氈件的整合與脖情提升，從而鹹寄羽娘升了續航份驗。
歡賬，蛾構成了vivo藍嫡技技術棧的偏滌豹曠蕩一。
