2023年北方華創持續在產品端發力
❶ 在刻蝕技術方面，實作12英寸矽、金屬、介質刻蝕機全覆蓋，形成了更加完整的刻蝕解決方案，實作了介質刻蝕裝置領域關鍵突破，釋出了滿足客戶不同工藝需求的全系列等離子去膠產品，套用高深寬比刻蝕工藝的深矽刻蝕機單機型銷量破百，累計刻蝕產品系列出貨超3500腔。 2023年刻蝕裝置收入近60億元。
❷ 在薄膜技術方面，精準定位市場需求，采用差異化路線攻克多項金屬薄膜與介質薄膜關鍵技術難題，系列產品獲得關鍵客戶認可，實作批次銷售；外延裝置實作在積體電路、功率半導體、矽材料、化合物半導體等領域工藝全覆蓋，累計薄膜沈積產品出貨超5500腔。
❸ 在清洗技術方面，槽式清洗機實作工藝全覆蓋，單片清洗機實作前段高端工藝新突破，為清洗業務板塊開拓了更廣闊的市場空間。
❹ 在熱處理技術方面，快速熱退火裝置、立式爐原子層沈積裝置等新產品層出不窮，為客戶提供全面解決方案的能力持續提升。
北方華創主營業務分析
❶ 刻蝕裝置
刻蝕裝置約占積體電路芯片制造裝置總資本開支的22%，是半導體制造過程中的關鍵環節。刻蝕工藝主要用於去除特定區域的材料來形成微小的結構和圖案。隨著積體電路線寬的持續減小和3D積體電路的發展，刻蝕裝置在積體電路裝備市場中的地位愈加重要，已躍居積體電路采購額最大的裝置型別。 2023 年公司刻蝕裝置收入近60億元。
刻蝕裝置中，電感耦合電漿刻蝕機（ICP）具有電漿密度高、可在低壓下生成、水平胡垂直方向電場可獨立控制等優勢，主要套用於矽和金屬刻蝕，以及部份介質材料的精細刻蝕。ICP 市場份額在刻蝕機總量中占比約53%。北方華創作為國內領先的高端電子工藝裝備供應商，深耕 ICP 刻蝕技術二十余年，先後攻克了 電感耦合脈沖電漿源、多溫區靜電卡盤、雙層結構防護塗層和反應腔原位塗層 等技術難題，實作了12英寸各技術節點的突破。公司多晶矽及金屬刻蝕系列 ICP 裝置實作規模化套用，完成了淺溝槽隔離刻蝕、柵極掩膜刻蝕等多道核心工藝開發和驗證，助力國內主流客戶技術通線，已實作多個客戶端大批次量產並成為基線裝置。 截至2023年底，北方華創 ICP 刻蝕裝置已累計出貨超3200腔。
電容耦合電漿（CCP）介質刻蝕裝置也在芯片制造領域扮演關鍵角色，特別是在後道介質膜層圖形化工藝方面，對整個芯片的效能具有重要影響。2021年，北方華創開始著力進行介質刻蝕裝置研發，致力於攻克12英寸關鍵介質刻蝕工藝套用，支撐客戶持續創新。憑借多年積累的核心技術以及對刻蝕領域的深刻理解，北方華創 先後突破了 CCP 領域電漿產生與控制、腔室設計與仿真模擬、低溫靜電卡盤、高功率等離子饋入 等多項關鍵技術，建立起核心技術優勢。截至目前，北方華創積體電路領域 CCP 介質刻蝕裝置實作了邏輯、儲存、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，為國內主流客戶提供了穩定、高效的生產保障，贏得客戶信賴和認可。 截至2023年底，北方華創 CCP 刻蝕裝置已累計出貨超100腔。
矽通孔技術（TSV）是一種新興的技術解決方案，透過垂直互連減小了芯片間互聯長度，降低了訊號延遲，實作了芯片間的低功耗和高速通訊，大幅提升了芯片效能，是延續莫耳定律的重要技術之一。TSV 技術中，矽通孔刻蝕是關鍵步驟之一，其工藝在刻蝕形貌、刻蝕速率、選擇比、深寬比、均勻性等方面要求嚴苛，存在較高的技術壁壘。北方華創推出的12英寸 TSV 刻蝕裝置，透過快速瓦斯和射頻切換控制系統，結合優良的工藝配方架構，在高深寬比矽通孔刻蝕中可精確控制側壁形貌，實作側壁無失真傷和線寬無失真失。透過優異的即時控制效能，大幅提升刻蝕速率，達到國際主流水平。目前北方華創的 TSV 刻蝕裝置已廣泛套用於國內主流 Fab 廠和先進封裝廠，是國內 TSV 量產線的主力機台，市占率領先。
幹法去膠又稱等離子去膠，其工作原理是在真空狀態下，透過活性電漿去除晶片表面的掩膜材料，而不允許晶片材料受損。隨著積體電路器件結構不斷演進，高介電常數（High-K）、低介電常數（Low-K）等新材料的引入使得幹法去膠的技術難度不斷增加。北方華創憑借深厚的等離子源開發及套用經驗，自主設計開發了低損傷等離子源，克服了O2、p、Np 等去膠的各種技術難點，在高劑量離子註入後的去膠、新型材料去膠、高深寬比聚合物去除等方面取得了技術領先優勢。同時，最佳化了幹法去膠裝置在維護、量產方面的效能，開發了真空和大氣雙配置傳輸平台，在保證技術領先的同時，使客戶擁有更長的使用周期及更低的擁有成本、消耗成本，受到客戶廣泛認可，形成了批次銷售。
❷ 薄膜沈積裝置
薄膜沈積裝置約占積體電路裝備總資本開支的21%，是半導體制造工藝中的關鍵環節。薄膜沈積裝置主要用於在基底材料上生長、沈積或塗布極薄的膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。 2023年公司薄膜沈積裝置收入超60億元。
物理氣相沈積（PVD）主要用於金屬薄膜制備。這些金屬薄膜作為芯片中互連線的重要組成部份，對整個芯片的效能具有至關重要的影響。北方華創作為中國 PVD 工藝裝備技術的先行者，早在2008年就開始了 PVD 裝備的研發工作。經過十余年的技術沈澱與創新突破，北方華創先後突破了 磁控濺射源設計、電漿產生及控制、腔室設計與仿真模擬、顆粒控制、軟體控制 等多項核心技術，實作了對邏輯芯片和儲存芯片金屬化制程的全覆蓋。
截至2023年底，積體電路領域銅（Cu）互連、鋁墊層（Al Pad）、金屬硬掩膜（Metal Hard Mask）、金屬柵（Metal Gate）、矽化物（Silicide）等工藝裝置在客戶端實作穩定量產，成為多家客戶的基線裝置，並廣泛套用在邏輯、儲存等主流產線，同時也成功實作功率半導體、三維整合和先進封裝、新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產套用。 截至2023年底，公司已推出40余款 PVD 裝置，累計出貨超3500腔。
化學氣相沈積（CVD）主要用於介質薄膜和金屬薄膜的制備。按照薄膜材料，CVD 分為介質化學氣相沈積（DCVD）和金屬化學氣相沈積（MCVD）兩大類。DCVD 主要包括等離子增強型化學氣相沈積（PECVD）、次常壓化學氣相沈積（SACVD）、介質原子層沈積（DALD）等。MCVD 主要包括低壓化學氣相沈積（LPCVD）、有機金屬化學氣相沈積（MOCVD）和金屬原子層沈積（MALD）等。
北方華創基於十余年沈積工藝技術的豐富經驗，布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品。針對介質和金屬化學氣相沈積關鍵技術需求，攻克了 進氣系統均勻性控制、壓力精確平衡、雙頻驅動的容性電漿控制、多站位射頻功率均分控制 等多項技術難題，實作金屬矽化物、金屬柵極、鎢塞沈積、高介電常數原子層沈積等工藝裝置的全方位覆蓋，關鍵技術指標均達到業界領先水平，贏得客戶高度評價。 截至2023年底，北方華創已實作30余款 CVD 產品量產套用，為超過50家客戶提供技術支持，累計出貨超 1000 腔。
外延（EPI）裝置是材料生長的關鍵裝置，廣泛套用於積體電路、功率半導體、化合物半導體等領域。經過十余年的技術沈澱與創新突破，北方華創已形成具有核心技術優勢、品類齊全、套用廣泛的外延系列化產品，具備單晶矽、多晶矽、碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等多種材料外延生長技術能力，覆蓋積體電路、功率半導體、化合物半導體等領域套用需求。截至2023年底，北方華創已釋出20余款量產型外延裝置，累計出貨超1000腔。公司自主研發的12英寸常壓矽外延裝置，實作了對邏輯芯片、儲存芯片、功率器件及特色工藝的全覆蓋，且已全部成功量產，成為客戶的基線產品。北方華創「矽薄膜外延裝置研發及產業化」計畫於2023年獲評「北京市科學技術進步獎一等獎」。
❸ 立式爐及清洗裝置
立式爐和清洗裝置分別約占積體電路裝備總資本開支的5%，在積體電路工藝生產線上發揮著關鍵作用。立式爐主要包括立式氧化/退火爐、多片立式低壓化學氣相沈積裝置（LPCVD）和多片立式原子層沈積裝置（ALD）。清洗裝置主要包括單片清洗裝置和槽式清洗裝置。 2023年公司立式爐和清洗裝置收入合計超30億元。 在立式爐領域，北方華創突破並掌握了氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、矽片表面熱場設計等關鍵技術，實作了立式爐系列化裝置在邏輯和儲存工藝制程套用的全面覆蓋。 截至2023年底，公司立式爐累計出貨超700台。
在清洗裝置領域，北方華創經過多年的技術積累，先後突破了多項關鍵模組設計技術和清洗工藝技術，包括白努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統、熱 SPM 工藝、熱磷酸工藝、低壓幹燥工藝等，實作了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實作突破。公司在積體電路領域的工藝裝置均已在客戶端實作量產。 截至2023年底，公司清洗裝置累計出貨超1200台。
❹ 新能源光伏領域裝置
2023年公司新能源光伏領域裝置收入近20億元。
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