（報告出品方/作者：中國平安，付強、徐勇、徐碧雲）
周期復盤：封測底部上揚，先進封裝占比逐年走高
周期復盤∣半導體周期底部已築，開啟新一輪上升通道
半導體行業與社會經濟發展關聯性高，具有較強的周期性。根據SIA數據和WSTS對全球半導體銷售額統計，從2021年底開始，由於疫情、地緣 政治和通貨膨脹等影響，半導體進入下行周期，直至2023年底，隨著消費電子逐漸復蘇、算力建設投入加大，工業、汽車等賽道有望帶來新的 增長點，行業底部已基本確認，將進入上升復蘇通道，預計2024年將有超10%以上的同比增速。
周期監控∣封測板塊可作為監測半導體周期內容的重要指標
半導體封測環節是監測半導體周期內容的重要關口：封測產業處在半導體產業鏈的下遊，主要作用為對半導體芯片進行封裝、測試與檢測，屬 於資本密集型和人工密集型，直接對接下遊終端，因此下遊套用和需求變化將直接影響封測行業的技術路線和稼動率，二者之間存在強大的聯 動作用與配合機制。因此，與前道晶圓端一樣，後道封測產業也是監測半導體周期的重要指標。
周期監控∣封測板塊具有較強周期內容，底部已出現上揚
半導體周期底部已築，封測板塊出現上揚：根據WSTS數據，2015年至今，擬合全球半導體銷售同比與A股三家封測龍頭和中國台灣封測收入同 比可看出：封測銷售與全球半導體銷售呈現較強的一致性，因此可作為監測半導體周期內容的重要指標。2023年11月，全球半導體銷售收入同 比已出現正增長為5.3%，呈現上揚趨勢，可見當前半導體周期和封測周期底部已築，預計2024年即將開啟新一輪上漲。
市場占比∣「後莫耳時代」，先進封裝重要性凸顯，占比將於25年超過50%
「後莫耳時代」，隨著積體電路工藝制程的越發先進，對技術端和成本端也均提出了巨大挑戰： 技術端驅動：2015年以後，積體電路制程的發展進入了瓶頸期，7nm、5nm、3nm制程的量產進度均落後於預期。隨著台積電宣布2nm制程工藝 實作突破，積體電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，積體電路行業進入「後莫耳時代」。 成本端驅動：根據國際商務戰略公司IBS調查數據顯示，從22nm往後的工藝制程，每一代的總成本支出的增長率均超過50%。7nm工藝制程的總 成本約為3億美元，5nm則更高將近5.5億美元。對產品開發而言，產品進入到大規模量產前需多次流片驗證，因此所帶來的費用支出呈倍數增加。 根據TIP預測數據，全球先進封裝在積體電路封測市場中所占份額將持續增加，預計2025年占整個封裝市場的比重接近於50%。
競爭格局：台積電等龍頭領先，國內廠商產業鏈完善
技術發展∣先進封裝形式百花齊放：2.5D轉向3D，高端封裝前道廠商領先後道
半導體封裝技術的演進，推動著積體電路的發展，目前傳統封裝已相當成熟，正經歷著2.5D封裝到3D封裝的轉換。3D整合和2.5D整合的主要區 別在於：2.5D封裝是在中介層Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，連線上下層芯片堆疊，相對來說，3D封裝 要求更高，形式也更多樣。 先進封裝技術發展最明顯的特征就是更精細化，因此晶圓端前道廠商技術領先後道廠商，台積電、英特爾和三星等廠商在3D封裝已有突破，而 日月光、長電科技等傳統封裝廠商則在2.5D封裝布局。
技術發展∣細化到關鍵技術節點，TSV/BUMP/RDL等更精細化
進一步細分到先進封裝的關鍵技術節點，不同的封裝形式有不同的判斷標準。一般來說區別各家封裝廠3D封裝技術能力的好差標準之一是TSV Diameter、I/O Pitch、RDL-LS的精度等。 根據Yole統計，目前一般先進封裝Bump I/O Pitch大約在50um左右，3D Stack Pitch約10um左右，預計到2029年將突破5um。3D高端封裝裏TSV Diameter W2W（Wafer to Wafer）約為1.5-2um，預計26年後最細至1um；Bond Pitch W2W約0.8-1.1um，預計26年後最細至0.5um；Wafer Thickness W2W約15-20um，預計26年後可至10um。
競爭格局∣高效能先進封裝技術被全球頭部封測企業掌控
高效能封裝技術主要包括：超高密度扇出封裝（ultra-high density fan-out，UHD FO）、2.5D interposer、3D stacked memories、 embedded Si bridge和hybrid bonding，其關鍵技術基本掌握在世界頭部封測企業（OSAT）、先進的晶圓代工廠和IMD手中，如長電科技、日 月光、安靠、台積電（TSMC）、三星（Samsung）和英特爾（Intel）等。先進半導體封裝的參與者非常多，其解決方案涵蓋（超）高密度扇出（有機中介層）、3D片芯堆疊、2.5D矽中介層、2.5D嵌入式矽橋、3D堆疊 記憶體等幾大類。龍頭代工廠及其解決方案當然還是台積電（InFO，整合扇出）、日月光（FOCoS，芯片後裝的基板上扇出芯片）、三星 （2.5D RDL（再分布層））、Amkor Technology（S-SWIFT，高密度扇出線）等。
國產替代∣國內半導體頭部大廠布局發力先進封裝
長電科技 XDFOI技術：公司XDFOI技術為2.5D超高密扇出型封裝，可將不同的弄能器件整合在系統封裝內，對整合度和算力有較高要求的超算領 域，如FPGA、CPU、GPU、AI和5G網路芯片等方面套用較多，將推動資訊科技的高速發展。
通富微電 VISionS技術：公司VISionS為基於超算的2.5D/3D先進封裝技術，可實作多層布線技術開發，將不同工藝不同功能的Chiplet芯片進行 高密度整合，可為客戶提供晶圓級和基板級封裝解決方案。在HBM等儲存方向布局，已完成堆疊NANDFlash和LPDDR封裝的量產，其3D儲存封裝技 術國內領先。
華天科技 3D Matrix技術：公司3D Matrix技術整合了TSV、eSiFo（Fan-out）、3D SIP等三大先進封裝技術，是Chiplet高度整合的重要技術之 一。TSV、eSiFo、3D SiP三大基礎技術，均為公司特色工藝，其中Fan-out技術為矽/基板上刻蝕挖槽，將芯片正放置凹槽內，在芯片表面與矽/ 基板表面形成扇出連線，再進行RDL布線與封裝。
長江儲存 Xtacking技術：與傳統並列式架構和CuA（CMOS under Array）架構不同，公司晶棧Xtacking 3D NAND架構可實作的金屬通道連線達 數十億根。芯片堆疊層數增加的同時，能夠帶來儲存容量的擴大，可大大提升芯片效能。
驅動端：BIS抵制&海外廠擴產倒逼國內先進封裝發展
美國制裁∣美國BIS制裁&華為榮耀陸續申請封裝專利，重要性不言而喻
美國BIS制裁劍指先進封裝：2023年10月17日，美國商務部工業和安全域（BIS）公布新的先進計算芯片、半導體制造裝置出口管制規則，意在 限制中國發展高端芯片的能力，並將於11月16日正式生效。11月21日，美國宣布了國家先進封裝制造計劃 (NAPMP)計畫，投資方向包括：材料 和載板，裝置、工具和流程，電力傳輸和熱管理，矽光通訊和連結器，Chiplet 生態系，測試、可靠性、安全性方面的Chiplet共同開發。 此舉將在後道封裝端抑制中國大陸發展高端高效能芯片，尤其是先進封裝領域。
資本開支∣美韓台等頭部封測企業在資本開支和高端封裝技術上保持領先
英特爾/台積電/三星等頭部大廠封裝資本開支排名靠前：介於下遊行情復蘇緩慢，疊加地緣政治等因素，2023年各大封裝公司對資本支出持謹 慎態度。根據Yole統計，2023年全球前九名封裝資本支出預計將為120億美元，分別為Inter/TSMC/Samsung/ASE/Amkor/TFME/JCET/Tianshui Huatian/PTI，整體支出較上一年下降17%，其中中國大陸封測三強通富微電/長電科技/華天科技分別排6/7/8名。 HBM高端先進封裝領域三星/美光/海麗仕保持領先：根據Yole預測，到2024年底，HBM3+封裝將采用混合鍵合技術堆疊16個芯片，預計2025年初 鎧俠將釋出采用混合鍵合技術的3D NAND堆疊記憶體，此後不久，美光、SK海麗仕和三星隨後加入行程。
大廠擴產∣AI帶動CoWoS、HBM及Chiplet等先進封裝擴產潮
台積電不斷增加CoWoS產能：當前AI芯片異常火爆，將推動CoWoS先進封裝需求激增。根據台灣經濟日報，此前輝達已在23年10月加大訂單， 蘋果、AMD、博通、Marvell等國際頭部客戶同時大幅追單。台積電為應對上述五大客戶需求，不斷加快CoWoS先進封裝產能擴充，預計24年月 產能將比原目標再增加約20%達3.5萬片。 三星擴HBM產能：當前DRAM芯片銷量回暖，三星電子為了擴大HBM產能，收購三星顯示（Samsung Display）天安廠區內部份建築及裝置用於HBM 生產。此外三星預計追加投資7000億-1萬億韓元，可見三星對擴大HBM產能的決心。 SK海麗仕投資升級HBM的TSV先進封裝技術：據南韓經濟日報及BusinessKorea訊息，全球第二大記憶體芯片廠商SK海麗仕預計AI將帶動行業需求 好轉，2024年將預留約10萬億韓元（約合76億美元）的DRAM設施資本支出，其用途主要在：一是為高附加值DRAM芯片擴建設施，包括HBM3、 DDR5及LPDDR5；二是升級HBM的TSV（矽通孔）先進封裝技術。
TSV供應鏈∣TSV、RDL等先進封裝技術均對裝置和材料提出較高要求
先進封裝的關鍵技術TSV：TSV（Through-Silicon Via ，矽穿孔）技術透過銅、鎢、多晶矽等導電物質的填充，實作矽通孔的垂直電氣互聯。 TSV可以替代WB和FC技術，是芯片小型化的必經之路，是目前唯一的垂直電互聯技術，是實作3D先進封裝的關鍵技術之一。 制備TSV技術的裝置和材料將受益：TSV技術制備的核心關鍵步驟主要為從先把矽通孔形成（即孔刻蝕），然後沈積絕緣層或阻擋層，接著生成 銅晶種沈積，最後進行電鍍，因此制備TSV技術涉及的半導體封裝裝置和材料領域包括光刻機、塗膠顯影、刻蝕裝置、清洗裝置、鍵合裝置、 CMP等。
國產替代：產業鏈國產化率偏低，裝置&材料前景廣闊
封裝裝置∣半導體封裝裝置國產化率整體偏低，國產替代空間廣闊
半導體封裝裝置市場規模穩步增長：半導體封裝裝置市場下遊主要為封裝測試企業、部份晶圓制造企業和芯片設計企業，其中以封裝測試企業 為主。根據SEMI數據，除2019-2020年受中美關系摩擦影響出現短期波動，全球半導體封裝裝置市場規模整體呈穩步增長態勢，其中2022年市 場規模約為78億美元。
封裝裝置∣國內先進封裝裝置鏈全面發展
封裝裝置分別有固晶機、鍵合機、曝光機、點膠機、劃片機、測試機、分選機、探針台等，國際廠商如DISCO在劃片機、減薄機等領域占據大 部份份額，K&S在貼片機、鍵合機等領域占據主導地位。隨著國內封測代工三強進入全球前十，推動國內半導體封裝裝置的發展，如光力科技， 在劃片機領域處於國內龍頭地位。隨著先進封裝占比逐漸走高，國內半導體封裝裝置將不斷受益。
封裝材料∣國內封裝材料企業細分方向多點開花
半導體封裝材料種類繁多，中高端正突破：半導體封裝材料主要有ABF載板、環氧樹脂、電子化學品、掩膜版、封裝膠帶等，當前AI需求爆發， 高效能運算是封裝材料發展的主驅動力。從競爭格局來看，半導體封裝材料領域，美國和日本基本主導著整個材料市場，如味之素、杜邦、 JSR、住友化學等。國內廠商起步較晚，需要長期的技術積累和產業協作開發，目前正向中高端邁進。
報告節選：
（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關資訊，請參閱報告原文。）
精選報告來源：【未來智庫】。「連結」
